Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
00835nam a2200217 a 4500 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
970106s1989^^^^^^^a^^^^^^^^^^000^0^eng^^ |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
0-86380-083-1 |
| Condiciones de disponibilidad |
(research studies) |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
0-47-92362-1 |
| Condiciones de disponibilidad |
(j. wiley) |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
|---|
| Número de control de sistema |
MX001000558015 |
| 050 ## - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7871.95 |
| Número de documento/Ítem |
H45 |
| 100 #0 - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Heime, Klaus, |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Ingaas field-effect transistors / |
| Mención de responsabilidad, etc. |
Klaus heime |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Taunton, somerset, england : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Research studies ; new york : |
| -- |
J. Wiley, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
c1989 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
218 páginas |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
texto |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
sin medio |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
volumen |
| Fuente |
rdacarrier |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Electronic & electrical engineering research studies. iii-iv compound technology series ; |
| Designación de volumen o secuencia |
1 |
| 650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Transistores de efecto de campo metal-semiconductor |
| 650 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores de arseniuro de galio |
