Mos field-effect transistors and integrated circuits.
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TextoEditor: New York : Wiley, 1973Descripción: 259 páginasTipo de contenido: texto Tipo de medio: sin medio Tipo de portador: volumenTema(s): Circuitos integrados | Semiconductores de metal-óxido | Transistores de efecto de campoClasificación LoC:TK7871.85 | R52
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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